近日，相关爆料消息称韩国两大巨头三星电子和SK海力士计划将在2026年之后推出新型“类HBM式”堆叠结构移动内存产品，旨在为智能、和提供更强大的端侧AI支持，业内人士指出，移动处理器的设计和布局将直接影响堆叠式移动内存的配置和连接方式，这意味着新一代移动内存将根据合作伙伴的需求进行定制供应，有望重塑移动DRAM市场格局。

三星电子的新产品命名为LP Wide I/O内存，SK海力士则将其技术称为VFO。这两种技术均采用扇出封装和垂直通道相结合的方法，以提高内存性能。

LP Wide I/O内存的性能亮点在于，其位宽达到512bit，是现有LPDDR内存的8倍，同时拥有8倍的I/O密度和2.6倍的I/O带宽。该产品预计于2025年第一季度技术就绪，并在2025年下半年至2026年中实现量产。

SK海力士的VFO技术同样表现出色，其验证样品将导线长度缩短至传统内存的1/4以下，能效提升了4.9%。尽管散热量增加了1.4%，但封装厚度却减少了27%。

目前，关于这些堆叠式移动内存如何与处理器集成尚未明确。可能的方案包括类似HBM的2.5D封装或3D垂直堆叠。