三星电子在最新举行的三星晶圆代工论坛 & SAFE 论坛 2024 韩国首尔场上表示，定制 HBM（高密度记忆体）预计将在 HBM4 世代成为现实。三星存储部门新事业企划组组长 Choi Jang-seok 表示：“我们看到 HBM 架构正在发生巨大变化。许多客户正在从传统的通用 HBM 转向定制产品。”

Choi Jang-seok 具体介绍了两种可能的定制 HBM 形式：第一种是不使用现有 2.5D 封装方案中必需的中介层 (Interposer) 和基础裸晶 (base Die)，直接将 HBM 芯片 3D 集成在计算 SoC 上，可以简化从计算芯片到 HBM 的数据路径，降低芯片功耗和占地面积；第二种是将内存的 I/O 接口和控制器转移到 HBM 内存的 base Die 上，并为计算芯片留出更多用于逻辑电路的空间。

此外，三星电子还在开发单堆栈达 48GB 的大容量 HBM4 内存，预计明年投产。这些改进将为客户提供不同选择，在 PPA（性能、功耗和面积）方面带来显著价值。