据外媒报道，哈佛大学近日向美国德克萨斯州东区地方法院提交起诉书，指控全球最大的存储芯片制造商三星电子在微处理器和内存制造领域侵犯了其两项专利权。这两项专利涉及到含钴、钨薄膜的沉积方法，并分别被命名为“用于铜互连的氮化钴层及其形成方法”以及“氮化钨的气相沉积”。 哈佛大学认为，这些薄膜对于计算机、手机等众多产品的关键部件至关重要。

报道称，三星电子在未经授权的情况下，在生产LPDDR5X等内存时实践了哈佛大学钨层沉积专利中至少一项权利要求的每个要素。据悉，8月6日，三星电子宣布其业内最薄的12纳米(nm)级LPDDR5X DRAM开始量产。

这项专利技术涉及三星S22智能手机、Galaxy Z Flip 5折叠屏手机等产品。