众所周知，在芯片制造领域，光刻机是绕不过的最重要的设备。

更重要的是，中国光刻机技术，相比于全球顶尖水平确实落后很多年。

ASML已经有EUV光刻机了，我们还处于干式DUV水平，之后还有浸润式DUV，然后才到EUV光刻机，好几代。

为什么我们的光刻机技术如此落后呢？原因是多方面的。

一是起步晚，虽然早年刚起步的时间差不多，但我们中间出现了一段时间的造不如买的思潮，所以明明早年起步差不多，但中间停滞了差不多10至20年。

二是技术封锁，因为光刻机太重要了，所以欧美将各种专利、技术、元件、供应链掌握在自己的手中，不流向中国。

而光刻机相当复杂，产业链太宽太多了，如果全部要靠国产，确实难度大增。

不过，近日，有好消息传出，那就是中国科学院（CAS）的研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，光源波长是193nm，和ASML、佳能、尼康的方式不一样。

目前像ASML等厂商，采用的都是氟化氩（ArF）准分子激光技术，通过氩（Ar）和氟（F）气体混合物，在高压电场下生成不稳定分子，释放出193纳米波长的光子。

去年我国曝光的一台DUV光刻机，就是这种氟化氩方案。

而中科院这次采用的是固态深紫外（DUV）激光技术，具体的技术方案是用Yb:YAG晶体放大器生成1,030纳米激光，再将这个激光用不同的光学方案，转换成两路波长的光源。

再将这两路波长的光尖，通过串级硼酸锂（LBO）晶体混合，就能够生成193纳米波长的激光光束。

而193nm波长的光源，就是制造干式DUV、浸润式DUV的光源。

这种方案，与ASML等的技术路线不一样，除了可以绕开它们的技术、专利等封锁之外，还能够减少对于稀有气体的需求，另外能耗也低一些。

不过，目前这个技术，更多的还是在实验室，要真正成为现实，用到光刻机中，还有一段距离，且这种技术生产出来的光源，其输出功率和频率仍远低于现有技术，真正用来大规模光刻芯片，可能还暂时不行。

但不可否认的是，技术就是这样一次又一次的突破，迭代出来的，后续随着技术不断的进步，也许替代ASML们的方案，就不是问题了。