3 月 19 日消息，SK 海力士今日宣布推出面向 AI 的超高性能 DRAM 新产品 12 层（12Hi）HBM4 内存，并在全球率先向主要客户出样了 12Hi HBM4。

SK 海力士在 12Hi HBM4 上采用了 24Gb DRAM 芯片，继续使用了 Advanced MR-MUF（注：先进批量回流-模制底部填充）键合工艺，单封装容量达 36GB，带宽达 2TB/s，运行速度较 HBM3E 提升了 60% 以上。

SK 海力士强调：

以引领 HBM 市场的技术竞争力和生产经验为基础，能够比原计划提早实现 12 层 HBM4 的样品出货，并已开始与客户的验证流程。公司将在下半年完成量产准备，由此巩固在面向 AI 的新一代存储器市场领导地位。

该企业 AI Infra 担当金柱善社长则表示：

公司为了满足客户的要求，不断克服技术局限，成为了 AI 生态创新的领先者。以业界最大规模的 HBM 供应经验为基础，今后也将顺利进行性能验证和量产准备。