众所周知，在绝大多数人的认知里，制造7nm以下的芯片必须使用EUV光刻机。

而这也是美国，为什么不准ASML销售EUV光刻机给我们的原因，美国担心我们拥有这种光刻机之后，能够制造出先进的芯片来。

那么我们，就再也不担心美国卡我们的芯片脖子了，因为一旦自己能够制造了，美国卡什么，我们制造什么。

而后来，不仅仅是EUV光刻机，美国连先进的DUV光刻机，都进行了禁运，范围越来越扩大。

不过禁了浸润式DUV光刻机这个，大家倒不是太担心，因为我们已经预料到了这一天，所以国内的晶圆厂，其实已经买到了足够多的DUV光刻机。

大家担心的，其实还是EUV光刻机这一块，毕竟卡住这个，进入7nm之下，似乎就没什么戏了，而国产EUV量产，还遥遥无期。

不过，近日，有专业机构分析称，事实上，利用浸润式DUV光刻机，也是可以制造2nm芯片的。

按照台积电的资料显示，今年要量产的“2nm”节点的最小（金属）半节距为 10nm。但事实上，采用EUV光刻机，也是无法一次性光刻成功的，因为这低于目前最先进的 EUV 系统的分辨率。

所以EUV光刻机，也要采用多次曝光来进行光刻，而一般做法是采用双重图案化 (SADP)的方式来多重曝光。

而除了SADP之外，还有一种方案叫做六重图案化 (SASP)，采用这种方案，相当于6次曝光，可以将光刻机的分辨率，降低其标准的六分之一。

拿浸润式DUV来说，能达到的分辨率，一般是38 nm，如果采用SASP方案，则可以达到6分之1，也就是6.3 nm 半间距，而2nm芯片是10nm的半间距。

所以理论上2nm芯片，也能够使用DUV光刻机来制造，只是这种SASP方案，需要在SADP（双对准） 后紧接着 SATP（三对准），这样难度较大。

但不管怎么样，这也给我们提供了有价值的方向和参考，意味着就算没有EUV光刻机，理论上也卡不住我们。

不过大家也清楚，工艺越复杂，良率越低，成本越高，所以在没有特别需要的情况下，不会轻易采用这种方案，但到了极限时，也不得不用了。