近日，SK海力士宣布，公司将出席8月6日至8日在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的全球半导体存储器峰会FMS(未来存储器和存储峰会) 2024。而SK海力士去年在FMS上宣布了业界最高的321层NAND开发成果，今年将展示多款AI领域新产品，包括12层HBM3E(预计第三季度量产)和321-high NAND(明年上半年出货)。

SK海力士将在峰会上展示的产品包括321层NAND闪存、ZUFS 4.0、PS1010、PCB01、LPDDR5T、HBM3E、CMS 2.0和GDDR6-AiM。

SK海力士的HBM工艺集成主管Unoh Kwon和 PMO主管Chunsung Kim将在峰会上发表主题演讲，题为《人工智能时代的AI和存储解决方案领导力与愿景》。

两位高管将详细介绍公司的DRAM和NAND产品组合，并展示针对人工智能优化的内存解决方案。

此次峰会原名为闪存峰会(Flash Memory Summit)，随着人工智能技术的关注度提升，今年更名为未来存储器和存储峰会(Future Memory and Storage)，以吸引包括DRAM和存储供应商在内的更多参与者。