2 月 21 日消息，半导体设备巨头泛林集团 Lam Research 美国加州当地时间 19 日宣布正式推出全球首型钼（Mo）原子层沉积（注：即 ALD）设备 ALTUS Halo，该设备已在逻辑半导体和 3D NAND 领域得到早期采用。

▲ ALTUS Halo

在最近 20 多年的芯片上金属布线元器件互联等半导体工艺中，钨（W）一直凭借其出色的沟槽填充能力起到相当重要的作用。

但是随着半导体制程的发展，钨电阻较高的劣势逐步显现，此时在沟槽填充和电阻两方面表现均优秀的钼正成为布线工艺的新宠。而 ALTUS Halo 就是一台向半导体注入钼的设备。

泛林集团高级副总裁兼全球产品集团总经理 Sesha Varadarajan 表示：

基于泛林深厚的金属化专业知识，ALTUS Halo 是 20 多年来原子层沉积领域最重大的突破：

它将泛林的四站模块架构和 ALD 技术的新进展结合在一起，为大批量生产提供了工程化的低电阻率钼沉积，这是新兴的、未来的芯片变化（包括千层 3D NAND、4F2 DRAM、先进 GAA 逻辑电路）的关键要求。

美光负责 NAND 开发的公司副总裁 Mark Kiehlbauch 则表示：

钼金属化的集成使美光能够在最新一代 NAND 产品中率先推出业界领先的 I/O 带宽和存储容量。泛林的 ALTUS Halo 设备使美光将钼投入量产成为可能。

除 ALTUS Halo 外，泛林还同期推出了一款等离子体蚀刻设备 Akara，其采用固态等离子体源，生成的等离子体响应速度提升了 100 倍，支持更大纵横比的超高精度蚀刻，以形成复杂的 3D 结构。

▲ Akara