众所周知，目前存储芯片领域，DRAM内存和NAND这两种，才是大头，占到了95%以上的份额，当然HBM也被列入DRAM之中。

而任何电子产品，都离不开DRAM内存和NAND闪存，所以这两种存储芯片，也是越来越重要。

而目前全球的存储芯片，主要被韩国、美国、日本垄断，三星、SK海力士、美光、铠侠这四家，拿走了90%以上的市场。

而中国作为全球最大的芯片进口，每年进口芯片超3000亿平均，其中NAND闪存和DRAM内存进口，就超过1000亿美元。

所以这几年，中国一直在努力的发展NAND闪存和DRAM内存。

近日，有美国媒体报道称，中国DRAM内存，已经取得了巨大的进展，长鑫的DDR5已经量产了，采用的是17.5nm的技术，良率高达80%左右，不输给国外的大厂了。

不仅如此，美国媒体还称，中国的DRAM内存产能提升更是迅速，2022年是长鑫才每月5.7万片，2024年底时，已经达到了21万片晶圆每月，而预计到2025年时会达到30万片，这个产能，会占全球产总能的15%。

而美国美光目前的DRAM产能也只有36万片晶圆每月，预计到2026年，中国在DRAM上的产能和市占率就会越过美国，成为仅次于韩国的存在。

美国媒体甚至还表示称，目前在中国市场，国产的DRAM内存在低端市场上，已经拿下了50%以的份额，比如DDR4等，未来在DDR5上的份额也会不断的提升，进而抢走美国、韩国企业的市场。

对此，不知道大家怎么看？事实上，目前在存储芯片，美国已经在不断的进行打压了，之前就计划锁死中国的NAND闪存在128层，锁死中国的DRAM内存在18nm。

但如今中国的NAND闪存，DRAM内存均突破了美国的封锁，接下来必然会爆发。

很多人都说，正是因为美国的打压，才加速了中国的芯片自主化，如今看来还真是这样，如果没有美国的打压，或许我们的芯片产业，真的不会发展这么快，你觉得呢？