目前在芯片行业，大规模制造采用的均是光刻工艺。

而光刻工艺下，最重要的设备就是光刻机，而光刻机与芯片制程，也是一一对应的。

如下图所示，不同的光刻机，采用不同的光源，对应不同的工艺制程。

目前最先进的是EUV光刻机，采用13.5nm波长的光源，可以制造7nm及以下的芯片。

而EUV光刻机，全球仅ASML一家能够制造出来，其它所有厂商，都无法制造。而ASML又听话，不能将EUV光刻机卖给中国、俄罗斯这样的国家。

所以说，是ASML卡住了所有想进入7nm以下工艺的晶圆的脖子，包括中国晶圆厂，也包括俄罗斯的晶圆厂。

所以一直以来，众多的企业，都在研发光刻机，特别是EUV光刻机，或者绕开EUV光刻机，找到另外的，可以进入7nm工艺以下的路线。

佳能采用的是NIL纳米压印技术，但其缺点很多，比如产能很低，无法大规模量产芯片。

而俄罗斯，之有也表示要用X射线来研发这样的光刻机，但事实证明，俄罗斯也只是想一想，利用X射线，无法实现7nm以下芯片的光线，精度达不到。

而近日，有媒体报道称，兜兜转转几年之后，俄罗斯觉得X射频不行，还是要采用EUV方案才行，要研发EUV光刻机

不过ASML现在的EUV方案，俄罗斯肯定实现不了，用激光来轰击锡珠，最后产生极紫外线，这个俄罗斯也办不到，毕竟很多供应链已经被ASML绑定了，所以只能另辟蹊径。

俄罗斯计划采用11.2nm的镭射光源，比ASML的13.5nm波长更短，那么理论上精度会更高，更为先进。

而如何产生11.2nm波长的光源？俄罗斯的做法是利氙（xenon）基镭射光源，说是这样比ASML 的EUV系统更经济。

不过，说实话，吹牛大家还是会的，俄罗斯能不能做出来，很多人还是有疑问的，毕竟现在俄罗斯连90nm的光刻机都制造不出来，一步就想登天到EUV，怎么可能？

所以外界猜测，就算俄罗斯真的有这打算，那至少需要上十年的时间来研发，还要花费巨资，而俄罗斯明显没有这个实力和能力，所以只是吹牛而已。

不过，假如这个方案是可行的，俄罗斯研发不出来，我们未必研发不出来啊，但问题这个方案究竟行不行，谁也不清楚。