12 月 4 日消息，长光辰芯（Gpixel）于 12 月 2 日发布公告，宣布推出两款高速、高灵敏度背照式 TDI CMOS 图像传感器：GLT5008BSI 和 GLT5016BSI。

此两款产品采用更优化的设计，具有更高的行频、更高量子效率，更好的片上集成度，更加匹配半导体晶圆检测、FPD 检测、高通量基因测序、生物荧光成像等行业的应用需求。

援引新闻稿，GLT5008BSI 和 GLT5016BSI 基于相同的架构进行设计，采用 5 μm 的电荷域 TDI 像素设计，片上集成两个谱段，积分级数分别为 256 级 + 32 级。

GLT5008BSI 有效分辨率为 8208 像素，支持 10 bit 和 12 bit ADC 输出，最高行频分别可达 1M Hz 和 500k Hz；GLT5016BSI 有效分辨率为 16416 像素，其最高行频可达到 500k Hz。

两款产品最高输出数据率分别为 86.4 Gbps 和 103.7 Gbps, 均可采用 100GiGE 相机接口进行数据传输。

两款产品均面向下一代更高通量、更高检出率的基因测序、半导体检测、屏幕检测等应用而开发，助力高端仪器装备行业产业升级。

GLT5008BSI / GLT5016BSI 根据不同应用进行 ARC 优化设计，分别为紫外谱段优化设计（UV）以及可见光优化设计（VIS）。

在 UV 版本下，其在 300 nm 以下的峰值量子效率可达 80% 以上；在 266 nm 下，其量子效率可到 65% 以上；在 VIS 版本下，峰值量子效率可高达 92.4% @ 440 nm。此外，除以上两种 ARC 外，也可根据用户需求，提供不同谱段 ARC 定制服务。

GLT5016BSI：16K 背照式 CMOS TDI 图像传感器

GLT5016BSI 是一款背照式（BSI）、时延积分（TDI）、电荷域 CMOS 图像传感器，水平方向有效分辨率为 16416，像素尺寸为 5 μm，最高满阱 15 ke⁻。

该传感器具有优异的 anti-blooming 能力以及大于 0.99996 的电荷转移效率（CTE），最高级数支持 256 级，最高行频可达 500 kHz，在最高行频情况下功耗小于 6.4 W，为确保高可靠性和良好的散热性能，其采用 415 引脚的 μPGA 陶瓷封装。

GLT5016BSI 具备高分辨率、高灵敏度、高帧频、低功耗等优异性能，同时片上集成了时序控制模块和电源管理模块，支持通道合并、可选扫描方向等功能，为基因测序、半导体检测、屏幕检测等应用带来更加准确、简单、高效的解决方案。

GLT5008BSI：8K 背照式 CMOS TDI 图像传感器

GLT5008BSI 是一款背照式（BSI）、时延积分（TDI）、电荷域 CMOS 图像传感器，水平方向有效分辨率为 8208，像素尺寸为 5 μm，最高满阱 17 ke⁻。

该传感器具有优异的 anti-blooming 能力以及大于 0.99993 的电荷转移效率（CTE），峰值量子效率为 93.4% @ 440 nm，得益于先进的背照式工艺和紫外量子效率优化工艺，在 266 nm 处的量子效率大于 63.9%。