11 月 22 日消息，据国内碳化硅单晶衬底材料企业天岳先进官方微信公众号动态，该企业在本月中旬于德国慕尼黑举行的 Semicon Europe 2024 展览会上发布了业界首款 300mm N 型（注：即导电型）碳化硅衬底。

天岳先进表示，随着新能源汽车、光伏储能等清洁能源、5G 通讯及高压智能电网等产业的快速发展，满足高功率、高电压、高频率等工作条件的碳化硅基器件的需求也突破式增长。

而 300mm 碳化硅衬底材料能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量；在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。

天岳先进官网资料显示，该企业成立于 2010 年，产品包含用于碳化硅（SiC）外延层生长的 4H 导电型碳化硅单晶衬底和用于氮化镓（GaN）外延层生长的 4H 半绝缘型碳化硅单晶衬底。目前天岳先进可供应 6 英寸和 8 英寸的导电型衬底以及 4 英寸和 6 英寸的半绝缘型衬底。