SK海力士公司近日宣布开始量产全球最高级别的321层1Tb（太字节）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存。与上一代产品相比，这款新型闪存的数据传输速度和读取性能分别提升了12%和13%，同时数据读取的能效也提高了超过10%。

SK海力士表示，他们从2023年6月起开始供应目前市场上的最高级别的上一代238层NAND闪存产品，并计划于明年上半年向客户供应321层的产品来满足市场需求。

在开发这款新型闪存的过程中，SK海力士的技术团队采用了高效的“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠方面的局限。该技术通过将通孔工艺流程分为三次进行，随后经过优化的后续工艺将三个通孔进行电气连接。在这一过程中，他们开发出低变形材料，并引入了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。

值得一提的是，SK海力士的技术团队还使用了上一代238层NAND闪存的开发平台来开发321层的产品。通过最大限度地减少工艺变化，与上一代相比，他们的生产效率提高了59%。