11 月 21 日消息，日本瑞萨电子昨日宣布率先推出面向第二代 DDR5 MRDIMM（注：12800MT/s）的完整内存接口芯片组解决方案，包含新款 MRCD、MDB、PMIC 芯片和配套的温度传感器与 SPD 集线器。

瑞萨表示，AI、HPC 和其它数据中心应用对内存带宽的要求不断提高，这就需要新的 DDR5 MRDIMM。与目前 8800MT/s 的初代产品相比，下一代 DDR5 MRDIMM 可实现 35% 的内存带宽提升。

瑞萨此次推出了三款面向第二代 DDR5 MRDIMM 的全新关键组件，分别是多路复用寄存时钟驱动器（MRCD）芯片 RRG50120、多路复用数据缓冲器（MDB）芯片 RRG51020、PMIC 芯片 RRG53220。这三款芯片现已出样，计划 2025H1 投产。

瑞萨表示其第二代 MRCD 芯片 RRG50120 相较初代产品功耗降低 45%；而为 DDR5 MRDIMM 打造的第二代 PMIC 芯片 RRG53220 可提供出色的电气过压保护和卓越的能效，并针对高电流及低电压操作进行了优化。

瑞萨高管 Davin Lee 表示：

AI 和 HPC 应用对更高性能系统的需求持续增长。瑞萨紧跟这一趋势，与行业领导者携手开发下一代技术及规范。这些公司依靠瑞萨提供的专业技术知识和生产能力来满足日益增长的需求。

我们面向第二代 DDR5 MRDIMM 的最新芯片组解决方案，体现了瑞萨在这一市场领域的卓越地位。