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三星先进制程工艺良率不达标 竞争不过台积电

IP属地 北京 编辑:吴婷 中关村在线 时间:2024-11-07 18:36:41

据韩媒报道,三星电子的第1、2代3nm工艺(SF3E-3GAE与SF3-3GAP)目前的良率分别为60%和20%左右。这一水平并未达到潜在客户(如高通、英伟达)所要求的70%,因此三星无法在最先进制程上与台积电争夺订单,这直接影响了三星尖端逻辑工艺投资的收益能力。

作为一家具备IDM特征的企业,三星DS部的存储器、系统LSI、Foundry三大业务实际上相互关联。如果系统LSI设计的自家Exynos处理器能够由Foundry顺利制造,并且外界也认可Foundry的技术水平,那么这将吸引更多外部客户选择三星逻辑代工+HBM+先进封装“交钥匙”方案,并且存储器业务部门所生产的先进HBM内存自然不会缺乏销路。然而,由于目前三星未能实现这一良性循环,导致整个半导体业务处于危机状态。

据韩媒预计,在集团年度管理层调整中,三星电子DS部可能会经历高管大洗牌。三大业务部的负责人均有可能被更换。这一调整预计将于本月内进行,早于通常的12月初。

值得注意的是,三星今年5月意外地在年中就更换了DS部总负责人,由全永贤接替庆桂显。这一人事变动引发了业界的关注。

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