说起PCIe5.0固态硬盘，相信大家都会想到那些读写破万兆、佩戴夸张散热片的高性能产品。但实际上，这些产品仅仅是厂家在“秀肌肉”而已，而且消费群体也不是普通用户，因此PCIe4.0仍是市场的绝对主力。今年1月三星推出“双模”产品990 EVO，为PCIe5.0应用提供了全新的思路，而9月份推出焕新升级版990 EVO Plus，性能得到大幅提升，为提升生产力的带来全新选择。

熟悉三星存储产品的同学都知道，Plus的定位是升级款产品，并没有超越系列的范畴。但这次的升级间隔仅有8个月，可见三星显然已经不满足小幅度的性能提升，而是通过半导体技术的革新，来寻求同系列的突破。实际上这次的“Plus”带来的惊喜也确实有点猛，当然PCIe5.0和PCIe4.0双平台兼容也被继承了下来。

我们先看一下这款产品的亮点（以2TB为例）

1、支持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2双模式；

2、配备三星第八代V-NAND TLC原厂闪存颗粒；

3、配备三星5nm工艺制程自研主控芯片，采用镀镍涂层；

4、最高顺序读写速度高达7250MB/s和6300MB/s；

5、最高随机读写性能达到1050K IOPS和1400K IOPS；

6、Intelligent TurboWrite2.0技术，大幅提升了SLC缓存空间，2TB最高可达226GB；

7、电源效率比三星990 EVO固态硬盘提升73%。

三星990 EVO Plus采用和990 EVO完全相同的外包装设计，依然是清爽的蓝色主视觉，搭配产品图片和大字体的型号标识，只是产品型号从EVO变成了EVO Plus，可见本次升级还是比较低调的。右下方的标签标识了产品的读取速度和容量。

三星990 EVO Plus采用黑色的PCB，但正面的散热标签比990 EVO稍小一些，这是为了照顾到单颗NAND芯片版本的美观，设计风格也稍有变化，最左侧是产品的型号，中间部分是S/N编码等信息，最右侧是产品的容量和三个二维码。标签还注明了工作的电压电流，最高理论功耗仅为6.27W，对于笔记本的电池续航非常友好。

三星990 EVO Plus采用单面元器件方案，降低发热的同时也提升了对于笔记本等紧凑型产品的兼容性，背面大面积的敷铜线路不仅有效提升了抗干扰性能，而且提升了传热效果，NAND FLASH芯片的位置同样贴有铜箔散热片，进一步提升散热效率。

揭开正面的标签，可见元器件布局也与990 EVO基本相同，依然是DRAMLess无外置缓存设计，主要部件为主控芯片和一颗NAND FLASH存储芯片，主控旁边的黑色小芯片是电源管理芯片，旁边围绕着大量的贴片电容电阻元器件。

5nm制造工艺的主控芯片型号与990 EVO相同，但表面采用创新的镀镍设计，进一步提升了散热效率，加上内置的三星动态散热保护机制（DTG），最大限度减少过热的情况。同时，这颗主控依然支持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2两种传输模式，可根据M.2插槽支持的PCIe版本自动切换，尤其是运行在PCIe5.0x2模式，关闭两条PCIe通道会降低功耗，更省电、发热量更低。

核心元件升级到了三星最新的第八代V-NAND TLC原厂闪存芯片，236层堆叠大幅提升了存储密度，例如我们测试的这款使用了单颗就可达到2TB，旁边的焊盘再加焊一颗就可达到4TB容量。除此之外，闪存的I/O接口带宽也提升至2400MT/s，这也是990 EVO Plus最高读写速率达到7250MB/s和6300MB/s，以及随机性能高达1050K IOPS和1400K IOPS的关键，同时功耗也降低16%。

作为三星990 EVO的升级版，990 EVO Plus不仅在读写性能方面进行大提速，还延续了PCIe4.0x4+PCIe5.0x2“双模”设计，因此同样具备低功耗优势。基准测试，我们从顺序读写性能、随机性能和SLC Cache三个维度展开。下面是我们本次的测试平台。

由于AMD X670E主板的M.2插槽支持PCIe版本切换，所以在BIOS中就能限定运行在5.0或4.0模式。Crystal Disk info显示990 EVO Plus支持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2，在24℃室温下通电15分钟，闲时温度分别为50℃和48℃，可见在PCIe5.0x2模式会有更低的发热量。

由于PCIe4.0x4带宽与PCIe5.0x2一致，因此三星990 EVO Plus在这两种模式下顺序读写性能也是基本相同的。经CrystalDiskMark实测，2TB容量在PCIe5.0x2模式最高顺序读写速度为7216.91MB/s和6105.87MB/s，在PCIe4.0x4模式为7208.85MB/s和6055.98MB/s。

用于对比的TxBench测试结果显示，三星990EVOPlus在PCIe5.0x2模式最高顺序读写速度为7212.982MB/s和6209.903MB/s，PCIe4.0x4模式则为7185.815MB/s和6198.875MB/s，与Crystal Disk Mark接近。随机性能采用Crystal Disk Mark的成绩，读写分别达到了1052K IOPS和1368K IOPS，大幅超越990 EVO，几乎可与配备DRAM的固态硬盘产品相媲美，在进行大型游戏、专业剪辑等重度任务时，可进一步提升大量细碎文件的加载效率。

为了进一步探索三星990 EVO Plus的SLC缓存机制和随机性能，接下使用专业的存储测试软件IOmeter展开进一步测试，并记录每秒的速度变化生成图表，每轮测试时间为40分钟。

先执行128KB顺序写入测试，通过测试曲线可知，三星990 EVO Plus 2TB一开始连续写入速度在5600--5700MBps，40秒后SLC缓存用尽，因此空盘时Turbo Cache实为226GB左右。缓存用尽后TLC稳态直写速度在1200--1400MBps。24分钟后主控完成GC回收写入速度开始提升，从曲线看像麻花一样在1900--2200MBps之间波动。但日常使用中很少有单次写入200GB以上数据的情况，因此实际使用中都是全速运行的，体验非常流畅。

发热量测试，我们使用IOmeter测试128KB顺序写入，让三星990 EVO Plus满载运行，测试时间时间20分钟，并记录每分钟的温度变化。从温度图表可知其最高温度仅有76℃，不仅比990 EVO要低，通过IOmeter的测试图形还可以看到动态散热保护机制（DTG）并没有介入，可见990EVO Plus的温度控制十分优秀，应用于笔记本的升级扩容也不用担心会出现过热的情况。

应用模拟，是通过专用的测试软件模拟出不同的应用场景，来表征固态硬盘的综合性能。需要注意的是，测试项目中的PCMARK10和3DMARK在不同的硬件平台（尤其是CPU）跑分存在很大差异，故成绩仅供参考。

首先是PCMARK10的完整系统盘测试，该项目将三星990 EVO Plus模拟成系统盘来测试真实环境下的表现。经实测三星990 EVO Plus 2TB的得分4267分，带宽为677.32MB/s，平均存取时间为39μs。

接下来是3DMARK存储DLC测试，该项目通过对三款游戏的载入、保存、安装与录制来评估固态硬盘的游戏性能。最终三星990 EVO Plus 2TB的存储基准测试得分为4284分，平均带宽为735.29MB/s，平均存取时间为42μs。

最后是FF XIV EndWalker Benchmark游戏加载模拟测试，这款DEMO能记录所有测试场景的载入时间，经测试三星990 EVO Plus 2TB全部的转场载入时间仅为7.236秒，和配备独立DRAM缓存的产品基本相近，游戏性能表现也是不错的。

为了三星品牌所有存储产品的集中监控和管理，三星存储推出了专用管理软件SAMSUNG Magician（三星魔术师），支持固态硬盘、移动固态硬盘、U盘和存储卡等全线存储产品。在Driver Dashboard中的“状态”选项卡，可显示三星990 EVO Plus的已写入的总容量、当前磁盘的剩余空间、工作温度的变化和测速结果等。

为了让用户轻松了解存储产品的性能，三星魔术师内建了测速功能，在Performance Benchmark即可测试，普通用户无需专业软件也可自行测试三星990 EVO Plus的性能。

三星魔术师还为三星990 EVO Plus设置了四档位性能模式，在Performance Optimization可看到Full Performance mode（全性能模式）、StandardMode（标准模式）、Power Saving Mode（节能模式）和Custom Mode（自定义模式），用户可根据使用的设备和应用场景自由设定。开启Full PowerMode可关闭固态硬盘的睡眠和空闲状态，时刻保持性能巅峰，开启TRIM则可以删除数据块中不再使用的数据，让固态硬盘运行更加高效。

现在的NVMe固态硬盘正处于从PCIe4.0向PCIe5.0过渡的时期，三星990 EVO Plus不仅支持满血PCIe4.0，还兼容PCIe5.0。最令人惊喜的是，它不仅在性能上能与配备独立缓存的产品相媲美，还实现了更低功耗和发热量，进一步提升整体效能，可谓物超所值，成为高性能游戏和AI任务的优质解决方案。

三星990 EVO Plus率先配备三星第八代V-NAND TLC原厂闪存芯片，显著提升了存储性能和能效，而三星原厂芯片更是品质的代名词，2TB容量高达1200TBW，售后方面还可享受5年质保。现在正处于年中大促双十一期间，作为新品上市，三星990 EVO Plus也有着较大的优惠幅度，也是这个双十一性价比最高的固态硬盘之一，三星原厂品质更是值得信赖，有升级和扩容需求的朋友现在可以入手了。