据报道，三星电子决定在2025年初引进其首台ASML High NA EUV光刻机，并与英特尔、台积电展开下代光刻技术商业化研发竞争。此前，三星电子与比利时微电子研究中心imec合作，在imec建立的High NA EUV光刻实验室进行了对High NA光刻的初步探索。考虑到精密的High NA EUV光刻机需要一段时间用于安装和调试，该机台有望最早于明年中旬投入研发使用。

由于三星目前半导体先进制程路线图已规划至SF1.4节点（即2027年量产），采用High-NA 光刻的制程最早也需要等到SF1。

在先进制程代工领域，三星的主要竞争对手英特尔已完成第二台 High NA EUV 光刻机安装，台积电的首个机台也将于今年内实现交付。此外，在存储领域，SK海力士的首台 High NA EUV 光刻机则有望2026年引入。