中国一汽研发总院新能源开发院功率电子开发部近期成功研发出首款1700V超高压碳化硅功率器件样件，这一突破性进展为解决用户充电焦虑与里程焦虑问题提供了有力支持。该器件基于国产先进的1700V车规级超高压碳化硅芯片，创新性地运用了高介电强度封装材料和高耐压封装结构，经测试，其最高母线电压可达1200V，为补能系统向超高压平台升级奠定了基础，显著缩短了充电时间，为用户带来前所未有的充电体验。

该碳化硅功率器件不仅在技术上实现了创新，更在实际应用中展现了其卓越性能。通过结合高密度元胞并联、短沟道元胞结构设计、高通流铜夹互联以及高耐温银烧结工艺等先进技术，该器件在超高压平台下展现出低损耗与高电流输出的综合性能优势，有效提升了动力系统的功率密度和效率。这意味着用户在享受澎湃强劲的驾驶体验的同时，也能最大程度地节约整车电耗，延长续驶里程。

此次1700V碳化硅功率半导体技术的成功研发，无疑丰富了“红旗”品牌的前瞻技术货架。这一成就不仅体现了红旗在新能源汽车技术领域的深厚积累，也为其未来在高压架构下的产品落地奠定了坚实基础。随着该技术的进一步应用与推广，红旗有望为用户带来更加高效、便捷的充电体验以及更加绿色、节能的驾驶方式。