10 月 9 日消息，ASML 新任 CEO 傅恪礼（Christophe Fouquet）出席 SPIE 大会并发表演讲，重点介绍了 High NA EUV 光刻机。

他提到，High NA EUV 光刻机不太可能像最初的 EUV 光刻机那样出现延迟。傅恪礼还谈到了组装扫描仪子组件的新方法，即直接在客户工厂安装，无需经历拆卸及再组装的过程。这将大大节省 ASML 与客户之间的时间和成本，有助于加快 High NA EUV 光刻机的发的和交付。

紧随其后上台的是英特尔院士兼光刻总监 Mark Phillips，他表示英特尔已经在波特兰工厂完成了两台 High NA 光刻系统的安装，而且他还公布了一些资料，表明 High NA EUV 相对于标准 EUV 光刻机所带来的改进可能要比之前想象中还要多。

▲ 首台 High NA EUV 照片，图源：英特尔

他表示，由于已经有了经验，第二套 High NA EUV 光刻系统的安装速度比第一个还要更快。据称，High NA 所需的所有基础设施已经到位并开始运行。用于 High NA 的光刻掩模检测工作已经按计划开始进行。因此，英特尔无需做太多辅助支持工作即可将其投入生产。

Mark 还被问到了关于 CAR（化学放大抗蚀剂）与金属氧化物抗蚀剂的问题，他表示 CAR 目前还够用，但可能在未来某个时候需要金属氧化物光刻胶。英特尔目标插入点是 Intel 14A 工艺（注：预计 2026~2027 年量产），这可能比预期的要更快。