众所周知，因为被制裁的原因，目前中国寻求在半导体行业的各个方面实现自给自足，提高自给率，减少对国外的依赖。

这个各个方面，包括逻辑芯片制造、DRAM内存、HBM内存、NAND闪存，以及半导体设备、半导体材料等等。

那么，这些领域，究竟表现如何，近日，有国外的媒体，对国内的半导体产业，进行了整理，然后得出了一些结论，看看大家认同不认同。

首先是大家最熟悉的逻辑芯片制造方面，年初的时候，英特尔首席执行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）表示，在芯片制造方面，中国或落后于全球半导体行业约10年。

不过，也有分析师认为，基于华为Mate 60 Pro、Pura70这两款手机，来对比竞争对手，落后应该在3-5年左右，没有10年那么长。

所以，目前外媒基本上都认为，目前在逻辑芯片制造方面，差距固定在5年左右的时间。

再看DRAM方面，按照1-2-3-4-4X-5-5X的发展路径来看，目前三星、SK海力士、美光等，已经实现了LPDDR5X，也就是第7代技术。

而中国厂商CXMT(长鑫)，目前已经实现了LPDDR5，相当于第6代，落后仅一代的水平。

不过在最新的HBM方面，White Oak Capital的投资总监Nori Chiou估计，中国落后于全球竞争对手10年，毕竟起步晚的太多了。

再看NAND方面，TechInsights 认为，YMTC（长存），曾全球推出“首款200+层3D NAND闪存”，领先于竞争对手三星、SK 海力士和美光。

但后来因为被拉入黑名单后，先进设备被限制了，于是先进制造方面陷入困境，目前进行国产替代后，其实际全国产化的水平，应该只有160L水平，和三星、SK海力士相比，应该有两代差距。

但这里外媒也表示，真实水平不太好说，因为长存的技术还是存在的，只是设备受限，只要有先进设备，技术本身是没有落后的。

另外在半导体设备方面，中国落后全球领先企业大约在3-5年左右，但在光刻机方面，外媒认为，至少是15年以上的差距，因为中国仅制造出了DUV光刻机，连浸润式光刻机技术，都没有掌握，而ASML掌握浸润式光刻机技术已经超过了20年，考虑到现在技术进步的速度，所以外媒认为，这样算下来，在光刻机方面至少是15年以上的差距。

此外，外媒表示半导体产业是非常复杂的产业，目前全球没有任何一个国家能够真正实现自给，中国因为被打压，虽然刺激了创新，但在如此复杂的技术生态系统中，“单打独斗”战略将很困难，中国要想实现全产业链自给的目标，还要有很长很长的一段路要走。