据最新报道，三星即将推出的 Galaxy S25 系列预计将是该公司首款采用 3nm 芯片的手机。此前有传闻称，三星将在 Galaxy S25 和 Galaxy S25 + 中使用 3nm Exynos 2500，而在 Galaxy S25 Ultra 中使用 3nm Snapdragon 8 Elite。然而最新报告显示，由于三星在自家 3nm Exynos 芯片方面面临良率问题，这一计划可能会发生变化。

据韩国媒体 Business Korea 报道，三星的 3nm Exynos 2500 芯片正在面临低良率的问题。良率是指所有芯片中通过质量认证的芯片所占的百分比，其余的芯片则被丢弃。虽然三星对第二代 3nm 工艺和 Exynos 2500 芯片充满信心，但该报道称其良率较低，并未给出具体数据。

值得一提的是，三星的半导体芯片代工厂业务一直面临着挑战。尽管投入了数十亿美元进行研发和建设，但该公司仍未能赶上台积电等竞争对手的步伐。事实上，两者之间的差距反而在扩大。今年第二季度，台积电的市场份额上升至 62.3%，而三星代工厂的市场份额仅 11.5%。

如果以上报道属实，三星可能会被迫在全球范围内所有 Galaxy S25 系列机型——Galaxy S25、Galaxy S25 + 和 Galaxy S25 Ultra—— 中使用骁龙 8 Elite 芯片。过去，骁龙芯片一直比相应的 Exynos 芯片更强大且高效。