10月5日消息，据媒体报道，台积电(TSM.N)在2nm制程节点上取得了重大突破，将首次引入Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。此外，N2工艺还结合了NanoFlex技术，为芯片设计人员提供了前所未有的标准元件灵活性。

相较于当前的N3E工艺，N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升，或在相同频率下将功耗降低25%至30%。更令人瞩目的是，晶体管密度将提升15%，这标志着台积电在半导体技术领域的又一次飞跃。

然而，伴随着技术的升级，成本也相应攀升。据预测，台积电每片300mm的2nm晶圆价格可能突破3万美元大关，高于早先预估的2.5万美元。相比之下，当前3nm晶圆的价格区间约为1.85万至2万美元，而4/5nm晶圆则徘徊在1.5到1.6万美元之间。显然，2nm晶圆的价格将出现显著增长。（快科技）