前段时间，大家都被一则消息刷屏了，那就是国产光刻机有了进步，国家权威机构公布了一台氟化氩光刻机，光源是193nm，分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm。

特别是其中标注的套刻精度≤8nm，引发了众多人的猜测，有人说是可以支持到8nm，有人说是可以支持到28nm，也有人说实际上是65nm，这些说法，谁也不服谁。

当然，具体能支持多少纳米，谁也不清楚，也不会告诉大家的，你认为是几纳米就几纳米吧，不会有绝对的权威的答案的。

不过，可以确定的是，这还是一台干式DUV光刻机，采用的是193nm波长的光源，并没有跨进浸润式DUV光刻机的行列，这个是最核心的地方。

当然，看这台光刻机成色如何，最好的办法，还是和行业标杆ASML去对比一下，大致就会明白这是什么水平了。

从光源、分辨率、套刻精度这三个指标，基本上可以确定，它与ASML旗下的TWINSCAN XT：1460K应该是最为接近，1460K光刻机，其照明波长为193mm，分辨率≤65nm，不过在套刻精度上，1460K是≤5nm，实际上ASML的这一台相对还更先进一些。

按照ASML在官网上的说法，这台光刻机，最高能制造57nm工艺的芯片，当然这个工艺是没有采用多重曝光之下的，是直接光刻精度。

可见如果拿这台国产的氟化氩光刻机来对比，应该最多也就是TWINSCAN XT：1460K的水平，这个大家应该没有疑问吧。

至于最高能生产多少纳米的芯片，我觉得大家应该心里有数了，在直接光刻的普通情况下，大致也就是和ASML的差不多吧，也就是57nm左右。当然经过多重曝光后，可能会好一点，但推测应该是达不到28nn的。

而TWINSCAN XT：1460K是ASML于2015年推出的，我们的国产光刻机，达到了2015年ASML的水平，是不是意味着我们落后ASML只有10年？

2015年的产品

其实，不能这么直接来看，事实上在2003年时，ASML就推出了第一台浸没式光刻机TWINSCAN XT:1250i，这台机器就可以直接制造32-28nm的芯片了。

然后ASML大约以2年一代的速度对浸润式DUV光刻机进行迭代，不断的提高套刻精度，提高NA，以及提高工作台的精度等，最终让浸润式DUV光刻机，支持到了14nm、7nm……

所以，从这一点来看的话，其实我们落后ASML起码20年，因为20年前的ASML，已经有了浸润式光刻机，对方一边在生产浸润式，也一边在生产干式光刻机，而我们呢，还在干式光刻机上努力，浸润式还没有实现。

所以说，大家先别这么高兴，这台光刻机虽然也是一个进步，但实际上路还很漫长，我们的提升空间还非常大，还远不到兴奋的时候，加油吧。