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美印两国达成协议,在印度共建工厂生产红外、氮化镓、碳化硅芯片

IP属地 北京 编辑:孙雅 IT之家 时间:2024-09-23 19:02:29

9 月 23 日消息,据《印度时报》报道,当地时间 22 日,印度总理莫迪与美国总统拜登发布联合声明称,美印两国将共同在印度建立一家芯片制造厂,以强化印度总理纳伦德拉・莫迪加强该国制造业的努力。

该工厂将专注于为国家安全、下一代电信和绿色能源应用提供先进的感应、通信和电力电子技术,生产红外、氮化镓和碳化硅芯片。据悉,印度半导体任务以及巴拉特半导体公司、3rdiTech 公司和美国太空部队的战略技术合作将为其提供支持。

据悉,GlobalFoundries(注:格芯公司)在加尔各答设立了 GF 加尔各答动力中心,这将加强在芯片制造研发领域的互利联系,为零排放和低排放车辆、联网车辆、物联网设备、人工智能和数据中心的突破性进展铺平道路。

此外,IBM 也已经与印度政府签署了谅解备忘录,IBM 的 Watsonx 平台将能够被部署在印度的 Airawat 超级计算机上。

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