三星的2纳米工艺技术近期面临良率问题，导致量产时间一再推迟。根据报道，原本计划于2024年底前量产的2纳米芯片，现已推迟至2026年。为了解决这一问题，三星决定从美国得州泰勒工厂撤出人员，并保留最低限度的员工。

泰勒工厂最初被设计为4纳米及以下先进工艺的量产中心。然而，由于2纳米芯片的良率持续低于50%，特别是与竞争对手台积电60%~70%的良率相比，三星在这一领域的生产能力备受质疑。业内人士认为，三星采用的全环绕栅极（GAA）工艺良率仅在10%-20%之间，这使得其无法满足客户订单要求并实现量产。

为了改进工艺和良率，三星董事长李在镕近期亲自拜访了ASML和蔡司等主要设备供应商，并寻求解决方案。然而，目前尚未取得显著成果。一位半导体教授指出，可能造成三星晶圆代工竞争力下降的原因包括内部官僚主义、决策缓慢以及薪酬问题。

此外，一位人士表示，在投资时机上出现延迟反映了管理层对当前市场现实的认识不足。与20-30年前相比，这种情况也说明了市场竞争环境的变化。