9 月 9 日消息，《韩国经济日报》当地时间本月 3 日报道称，由于 QLC 企业级固态硬盘销售状况良好，SK 海力士旗下Solidigm 的中国大连晶圆厂将在一段时间内延续 FG（注：浮动栅极，FloatingGate）NAND 闪存工艺，并获得新的设备投资。

Solidigm大连晶圆厂随英特尔 NAND 闪存与固态硬盘业务一同加入 SK 海力士，目前主要生产 192 层 FG 结构 NAND 闪存，贡献SK 海力士整体闪存生产能力的约三成。

▲ 基于 192 层 FG QLC NAND 的 Solidigm D5-P5336 固态硬盘

一个 NAND 单元存储的二进制数据是“0”还是“1”，取决于其含有的电荷多寡。而在如何存储电荷这一核心问题上，现有 NAND 大致可划分为 FG 和 CT（电荷捕获 / 电荷阱，Charge Trap）两种流派。

随着 3D NAND 闪存的发展，临近干扰效应更低的 CT 结构逐渐取代在 2D NAND 时代占据主流的 FG。不过 FG 结构也具有其独特优势，更适合每单元比特数更高的 QLC NAND 闪存。

目前还在主流产品中使用 FG 结构的大型 NAND 制造商仅有原英特尔闪存与 SSD 部门 Solidigm，这意味着 Solidigm 与母公司 SK 海力士采用不同路线，开发成本较高。

此前有业界声音认为 SK 海力士将在完成与英特尔的第二阶段交易后把 Solidigm 迁移至 CT 阵营。不过近来随着 AI 服务器的旺盛需求，单盘容量更大、价格更低的 QLC NAND 逐渐成为业界焦点，Solidigm 业绩也因此转好。

消息人士表示，在此背景下 SK 海力士没有推动 Solidigm 大连工厂调整技术路线的动力，而是将增加对该工厂的投资，以加速 PLC NAND 闪存与 128TB企业级固态硬盘的开发。