这是由日本新能源 产业技术综合开发机构（NEDO）“加强后 5G 信息和通信系统基础设施研究开发项目 /先进半导体制造技术开发”计划所采纳的。同时，还需要提升容量、降低功耗。 为了实现这一目标，铠侠计划开发…
11 月 7日消息，铠侠日本当地时间昨日表示，其“创新型存储制造技术开发”提案已获日本新能源・产业技术综合开发机构（NEDO）“加强后 5G信息和通信系统基础设施研究开发项目 / 先进半导体制造…
快科技11月5日消息，三星推出了新款990 EVO Plus SSD 4TB版本，支持PCIe4.0/5.0和最新的NAND闪存技术，首发1899元。 新款SSD采用M.2 2280规格，重量约为9g，采用…
11 月 5 日消息，姗姗来迟的三星 990 EVO Plus 4TB 版本固态硬盘已于上周六开售，首发到手价 1899 元。 与990 EVO 类似，990 EVO Plus 也是一款 PCIe…
10月29日消息，据媒体报道，三星与铠侠都开始研究在第四季度对NAND进行减产，预计依照市场况状进行分阶段减产。高盛的一份研究报告披露，三星2023年已将DRAM、NAND Flash芯片产量削减了2…
10 月 29 日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日表示，根据其掌握的最新三星半导体存储路线图，三星电子将于 2026 年推出的下代V-NAND 堆叠层数超过 400，而预计于 2027 年推出的…
10 月 15 日消息，根据 TrendForce 集邦咨询最新调查，NAND Flash 产品受 2024年下半年旺季不旺影响，wafer 合约价于第三季率先下跌，预期第四季跌幅将扩大至 10%…
CPU主要是指电脑芯片，还包括手机中的Soc，也可以归类到CPU中去，GPU则是显卡，AI芯片等，NAND、DRAM则是存储芯片。 所以韩国媒体认为，目前中国其实在芯片方面全面追赶，哪怕是最难的CPU、GP…
9月24日消息，今日，三星电子宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND 技术的PCIe 4.0车载SSD——AM9C1。 相比前代产品AM991，AM9C1能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4400…
9 月 12 日消息，三星电子今日宣布，三星首款 1 太比特四层单元（QLC）第九代 V-NAND 已正式开始量产，而 1Tb TLC产品已于今年 4 月开始量产。 通道孔蚀刻技术（Channe…
第二季度起，所有的NAND闪存供应商都已经恢复盈利，并计划在第三季度扩大产能，满足AI、服务器的需求，但是PC、智能手机市场迟迟无法回血，NAND闪存出货量也将难以提升。 美光出货量小幅减少，但价格涨了20…
Solidigm大连晶圆厂随英特尔 NAND 闪存与固态硬盘业务一同加入 SK 海力士，目前主要生产 192 层 FG 结构 NAND闪存，贡献SK 海力士整体闪存生产能力的约三成。 一个 NAND 单元…
但由于 PC 和智能手机厂商库存偏高，导致 Q2 NAND Flash 位元出货量环比下降 1%，平均销售单价上涨了 15%，总营收达167.96 亿美元（备注：当前约 1193.37 亿元人民币…
作为作者，我们所能获得的所有荣誉，与那些喜欢我们的内容、引用我们的内容并与世界分享我们的内容的读者相比，都显得微不足道。 不过虽然说再见，但AnandTech网站将继续保留，人们可以阅读过去27年来的大量评论…
运行了27年的AnandTech也到了与大家说再见的时候。 Shimpi在告别信中写道，“作为作者，我们所能获得的所有荣誉与那些喜欢我们内容、引用我们内容并与世界分享我们内容的读者相比，都显得微不足道。人们可…
在过去的四分之一个世纪里，许多事情都发生了变化 ——1997 年，英伟达甚至还没有创造出“GPU”这个词 —— 我们有幸见证了硬件世界在这段时间里的不断发展。即使没有新的文章加入收藏，我预计我们在过去几十…
在此次展会上，江波龙首款2xnm SLC NAND Flash自研芯片产品首次亮相，再次体现了江波龙在技术创新之路的攀升；汽车电子、消费电子、智能穿戴和AI服务器四大主流市场的存储解决方案同台，呈现了江波龙在…
从标准化迈向定制化，通过整合存储主控、Flash芯片设计、固件定制开发、高端封测技术、售后服务、品牌及知识产权等多方面能力，江波龙已为TCM（技术合约制造）和PTM（存储产品技术制造）双商业模式合作提供了坚…
最新公布的2024财年第一财季财务报告显示，公司正式宣布了一项重大重组计划，即将拆分为两家独立的上市公司。为确保分拆后的顺利过渡与长期发展，西部数据已明确领导架构：首席执行官David Goeckeler将…
为了确保分拆后的顺利过渡与长期发展，西部数据已明确领导架构：由首席执行官DavidGoeckeler亲自挂帅，引领SSD及NAND闪存业务部门的新征程；而全球运营执行副总裁Irving Tan则被任命为H…
快科技8月19日消息，梵想S790MAX SSD目前已经上市，4TB首发价为1699元。 据悉，梵想S790MAX SSD采用了PCIe 4.0x4接口，M.2 2280规格，双面PCB布局设计，搭载了英仞…
近日，华邦电子推出了一款面向可穿戴设备和低功耗物联网设备的1GB 1.8V QspiNAND闪存W25N01KW。这款产品具有待机功耗低、封装小巧、可连…
8 月 8 日消息，华邦电子（Winbond Electronics）面向可穿戴设备、低功耗物联网设备，推出了 1GB 1.8VQspiNAND 闪存 W25N01KW。 这款闪存产品专为可穿戴设…
这两个固态硬盘系列均支持 PCIe 5.0，基于 SK 海力士 176 层 3D TLC NAND 闪存。 而 D7-PS1030 为3DWPD 级别的中耐久性（Mid-endurance）型号，提供 1.…
8 月 1 日消息，泛林集团 Lam Research 当地时间昨日宣布推出面向 3D NAND 闪存制造的第三代低温介质蚀刻技术Lam Cyro 3.0。 在现有 3D NAND 的生产中，需要…
SK 海力士去年在 FMS 活动中宣布开发出业界最高的 321 层 NAND，今年也将展示诸多 AI 领域的新产品，包括 12 层HBM3E（预计在第三季度量产）和 321-high NAND（明年上半年…
8 月 1 日消息，韩媒 ETNews 报道称，SK 海力士将加速下一代 NAND 闪存的开发，计划 2025 年末完成 400+层堆叠 NAND 的量产准备，2026 年二季度正式启动大规模生产…
不过由于晶圆代工订单数量不足，而以 HBM 为代表的 DRAM 内存产品需求火爆，三星电子已于上半年调整了平泽 P4 工厂投资计划，先行建设DRAM 内存产线，延后逻辑代工线建设。 但 V9 QLC NA…
快科技7月31日消息，美光科技宣布，其第九代（G9）TLCNAND技术的SSD已正式投入量产并开始大量出货，成为全球首家实现这一技术突破的公司。 美光G9 NAND传输速率3.6 GB/s为业界最高，为个人…
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