该产品顺序读取速率可达1600MB/s,顺序写入速率也可达到1500MB/s。 至于价格方面,在波兰当地电商平台售卖的容量版本为2000GB的HX200…
8 月 29 日消息,SK 海力士今日宣布在业界率先成功开发第六代 10 纳米级(1c nm)DDR5 DRAM 内存的同时,也表示1c nm 工艺将用于多款其它 DRAM 内存产品。 SK 海力…
8月29日消息,SK海力士宣布,成功开发出全球首款采用第六代10纳米级(1c)工艺的DDR5 DRAM芯片。 这款DRAM芯片名为1c16Gb DDR5,其中的1c代表了SK海力士的第六代10纳米工艺…
SK 海力士强调:“随着 10 纳米级 DRAM技术的世代相传,微细工艺的难度也随之加大,但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代(1b)技术力为基础,提高了设计完成度,率先突破了技术极限。与此同时,在 …
华硕最新推出的ROG和ROG Strix X870 (E)主板,引入了全新的NitroPath DRAM技术。这一创新技术为高端DDR5内存主板提供了…
8 月 21 日消息,随着 ROG、ROG Strix X870 (E) 主板的发布,华硕也一道推出了 NitroPath DRAM技术。该技术可为高端 DDR5 内存主板提供更强大的内存性能。 …
快科技8月20日消息,据供应链最新消息显示,DRAM大厂第三季再度调涨DDR5,单季价格将上涨15%以上。 之前集邦咨询报告称,随着市场需求看涨、供需结构改善、价格拉升、HBM崛起,预计2024年的DRAM内…
据报道,韩国半导体公司SK海力士已向上游设备企业订购关键设备,以提高其位于京畿道利川市的M16晶圆厂的DRAM内存产能。值得一提的是,与三星不同,在平泽工厂拥有大量空置面积的情况下,SK海力士唯一能提高DR…
三星电子、SK 海力士、美光三大原厂采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即将在 2024~2025 年推出。 Seo Jae-Wook表示,利用 VG 或 3D DRAM 结构,能将内存的 EUV…
在逻辑图案方面,imec 成功图案化了单次曝光随机逻辑机构,实现了 9.5nm 密集金属线(注:对应 19nmPitch),将端到端间距尺寸降低至 20nm 以下: 此外,imec 通过 High…
Choi 认为,在下代 1c nm 后,DRAM 内存行业还将经历 1d nm 节点才会将名义制程缩小至 10nm 以下。 而到 1c nm节点,HKMG 工艺将被三星电子和 SK 海力士广泛应用于所有类…
7 月 22 日消息,TrendForce 集邦咨询在今日公布的最新研报中表示,在 HBM 和 QLC 崛起的带动下,2024 年DRAM 内存和 NAND 闪存产业的营收年增幅度均将超过七成。 …
此前报道,三星平泽 P4 工厂的代工业务已暂缓建设。 业内人士称: 目前,P4 是三星(韩国)国内业务中唯一可以增加 DRAM 产能的空间。该公司已经制定了计划,在可以增加半导体产能的空间首先投资…
月 18 日消息,韩媒 ZDNet Korea 报道称,三星电子正积极开发 LLW DRAM 内存,为苹果 Vision Pro后的下一代头显订单做好准备。 据IT之家此前报道,与苹果 Vision Pro…
7 月 18 日消息,据韩媒 ZDNet Korea 报道,三星电子内存部门新业务规划团队负责人Choi Jang Seok今日表示,三星将在今年底开始量产符合 CXL 2.0 协议的256GB …
7 月 18 日消息,韩媒 ZDNet Korea 报道称,三星电子正积极开发 LLW DRAM 内存,为苹果 Vision Pro后的下一代头显订单做好准备。 据此前报道,与苹果 Vis…
7 月 15 日消息,存储模组企业宇瞻 6 月 27 日宣布推出面向边缘人工智能(注:EdgeAI)硬件的内存条“安全带”——DRAM 模组强固型固定带。 边缘人工智能硬件产品的运输和应用…
【头部财经】SK海力士近日发布了2023财年第二季度财务报告,公司在截至6月30日的这一季度实现了不俗的业绩。SK海力士表示,生成
【头部财经】消费电子产品需求下滑对芯片厂商影响显著,尤其是存储芯片厂商如三星电子和SK海力士。然而,在消费电子需求疲软的大
【头部财经】根据科技新报的报道,一家美国市调公司发布了最新报告指出,包括美光和西部数据在内的供应商目前倾向于稳定价格,预
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